Menu
IMPLANT V3B+, 3,9 X 13 MM - SP
IMPLANT V3B+, 3,9 X 13 MM - SP
Implanty V3 posiadają innowancyjny trójkątny kształt implantu w cześci koronowej - VConcept, posiadają połączenie stożkowe z anty-rotacją na indeksie stożka oraz płaski wieżchołek z agresywnym gwintem. Powierzchnia piaskowana i trawiona kwasem do poziomu platformy protetycznej.
PODKŁADKA PLASTIKOWA DO FILARU KULOWEGO MIS
PODKŁADKA PLASTIKOWA DO FILARU KULOWEGO MIS
MIS oferuje kompleksowe rozwiązania protetyczne do protez ruchomych na implantach, dostępne są filary kulowe, system OT-EQUATOR oraz system LOCKIT.
IMPLANT V3B+, 3,3 X 16 MM - NP
IMPLANT V3B+, 3,3 X 16 MM - NP
Implanty V3 posiadają innowancyjny trójkątny kształt implantu w cześci koronowej - VConcept, posiadają połączenie stożkowe z anty-rotacją na indeksie stożka oraz płaski wieżchołek z agresywnym gwintem. Powierzchnia piaskowana i trawiona kwasem do poziomu platformy protetycznej.
TRANSFER WYCISKOWY DO "ŁYŻKI OTWARTEJ"...
TRANSFER WYCISKOWY DO "ŁYŻKI OTWARTEJ" (ŁĄCZNIE Z DŁUGĄ ŚRUBĄ MD-G0160), DO IMPLANTÓW Z WEW. SZEŚCIOKĄTEM, NP
Tytanowy element do skanowania CAD/ CAM Scan Abutment Seven/M4 wąska platforma
BAZA TYTANOWA DO CAD/CAM, Z ANTYROTACJĄ,...
BAZA TYTANOWA DO CAD/CAM, Z ANTYROTACJĄ, ŚR. 4,2 MM, H 3 MM, C 6 MM, DO IMPLANTÓW V3, NP
MIS oferuje kompleksowe, innowacyjne technologicznie, rozwiązania do prac protetycznych wykonywanych w technologii CAD/CAM. Dostępne komponenty w postaci elementów do skanowania, analogów do modeli drukowanych czy baz tytanowych, umożliwiają wykonywanie prac protetycznych zarówno z poziomu implantu jak i poziomu łącznika CONNECT czy MULTI-UNIT.
BAZA TYTANOWA DO CAD/CAM, Z ANTYROTACJĄ,...
BAZA TYTANOWA DO CAD/CAM, Z ANTYROTACJĄ, ŚR. 4,2 MM, H 0,5 MM, C 6 MM, DO IMPLANTÓW V3, NP
MIS oferuje kompleksowe, innowacyjne technologicznie, rozwiązania do prac protetycznych wykonywanych w technologii CAD/CAM. Dostępne komponenty w postaci elementów do skanowania, analogów do modeli drukowanych czy baz tytanowych, umożliwiają wykonywanie prac protetycznych zarówno z poziomu implantu jak i poziomu łącznika CONNECT czy MULTI-UNIT.